IF-PB (Instituto Federal de Educação, Ciência e Tecnologia da Paraíba) - Técnico em Eletroeletrônica - IDECAN (Instituto de Desenvolvimento Educacional, Cultural e Assistencial Nacional) - 2019
Texto I
Com base na FIGURA A, para uma carga Z com características puramente resistiva com um valor de resistência igual a Rcarga = 100Ω e uma tensão de entrada alternada e senoidal de 220V na frequência de 60Hz.
Calcule
Considere os itens a respeito do arranjo em série e paralelo de chaves eletrônicas e atribua V para verdadeiro ou F se falso.
( ) Para o aumento da capacidade de condução de corrente, TBj´s em paralelo devem ter observado seus coeficientes de temperatura (negativo para TBJ´s) pois se um dos transistores conduzir mais corrente, sua resistência em sentido direto diminui e sua corrente aumenta ainda mais.
( ) Em IGBT´s o paralelismo é mais simples, pois os mesmos possuem coeficientes de temperatura positivos e constantes de maneira a facilitar seu paralelismo para divisão da condução de corrente.
( ) Para conexão de TBJ´s em série, o tempo de entrada e saída de condução devem ser observados de maneira a não permitir que o dispositivo mais lento para condução ou rápido para o desligamento seja submetido a toda tensão de coletor/emissor.
( ) Já para o paralelismo de MOSFET´s, uma vez que o aquecimento da chave implica em um aumento na resistência em sentido direto, o desvio da corrente resultante impede o paralelismo deste tipo de chave.
Assinale a sequência correta, no sentido de cima para baixo.
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a)
V – V – F – F |
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b)
V – V – V – F |
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c)
V – F – V – F |
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d)
F – V – V – F |
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e)
V – F – F – F |
Texto II
Ainda a respeito da chave eletrônica da figura, após o Ensaio I da figura anterior são realizadas as seguintes aferições:
Podemos inferir agora que o transistor encontra-se
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a) com defeito relacionado a um curto em seus terminais.
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b) com defeito relacionado a abertura de seus terminais.
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c) em perfeito estado, funcionando em modo disparado.
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d) em perfeito estado, funcionando em modo desligado.
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e) com defeito não identificável em seu diodo interno.
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